Latch Up

栓鎖效應 當VLSI線路密度增加， Latch-Up之故障模式於MOS VLSI中將愈來愈嚴重，且僅發生於 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內CMOS中形成兩個雙截子晶體管P-N-P- N形式的路徑，有如一個垂直的P+-N-P與一個水平N+-P-N晶體管組合形成於CMOS反向器，如果電壓降過大或受到外界電壓、電流或光的觸發時，將造成兩個晶體管互相導過而短路，嚴重的話將使IC燒毀，故設計CMOS路防止LATCH-UP的發生是當前IC界最重要的課題。